贴片式三极管可分为双极型三极管及场效应管，一般称为片状三极管及片状场效应管。贴片式三极管是由传统引线式三极管发展过来的，管芯相同、仅封装不同，并且大部分沿用引线式的原型号。

    随着便携式电子产品的发展，开发出很多新型片状三极管。例如，过去采用TO-220封装的功率MOSFET，由于减小了导通电阻（几毫欧～几十毫欧），并采用新型散热良好的结构，现在可用D-PAK封装、SOT-89封装或SO-8封装。为增加安装密度，进一步减小印制板尺寸，开发出了带阻三极管、组合三极管。近年来，通信系统的频率越来越高，又开发出不少通信专用三极管，如砷化镓微波三极管及功放管等。

    本文主要介绍片状三极管的基本知识、片状带阻三极管、片状组合三极管（复合三极管）、通用片状场效应管及应用指南。

    有关通信用的一些专用三极管将在另文发表。常用的片状三极管及场效应管的有关参数，封装及代换将在增刊中刊出，供设计、开发人员及维修人员参考、选用。

    1. 型号识别

    我国三极管型号是“3A～3E”开头、美国是“2N”开头、日本是“2S”开头。目前市场上以2S开头的型号占多数。

    欧洲对三极管的命名方法是用A或B开头（A表示锗管，B表示硅管），第二部分用C、D或F、L（C——低频小功率管，F——高频小功率管、D——低频大功率管、L——高频大功率管）；用S和U分别表示小功率开关管和大功率开关管；第三部分用三位数表示登记序号。例如，BC817表示硅低频小功率三极管（fT=200MHz），通用小信号放大三极管。还有一些三极管型号是由生产工厂自己命名的（厂标），是不标准的。例如，摩托罗拉公司生产的三极管是以M开头的。如在一个封装内带有两个偏置电阻的NPN三极管，其型号为MUN2211T1，相应的PNP三极管为MUN2111T1（型号中T1也是该公司的后缀）。

    一些塑封封装尺寸较大的管子，如D-PAK封装，由于顶面面积小，往往将日本型号中的2S省略。如2SC2712，打印为C2712；2SA562打印为A562，等等。

    2. 型号代码

    片状三极管封装尺寸较大的可以打印简化型号，而尺寸小的封装，如SOT-23、SC-70等只能打印型号代码。例如，摩托罗拉公司生产的SOT-23封装的三极管BC817-16T1，其型号代码为A6（型号中16与hFE有关，T1是后缀）；SC-59封装的MUN2211T1代码为8A；而MUN2111T1的代码为6A。

    这里要指出的是，型号代码是生产厂自行设定的，同一种型号由不同工厂生产，其型号代码也可能不同；即使同一工厂生产，不同封装的三极管也会有同样的型号。如上述BC817-16T1及MUN2111T1同为摩托罗拉公司生产，型号不同，封装不同，但代码都是A6。这种现象其它公司也存在，使用者要特别注意！

    型号与型号代码的关系目前没有统一的技术资料可供查阅和对照。目前分析进口电子产品或维修时，很难从型号代码上判断是何种型号的三极管，这是一个难点。

    3. 封装代号与尺寸

    同一种封装有不同的封装代号。如SOT-89就有SC-62、MPT、MP4等代号。表1列出常用的三极管封装代号及其尺寸。

    从器件的封装尺寸可以了解三极管的功率大小。如比SOT-23封装尺寸小的三极管都是小功率管，IC<800mA，SOT-89～SOT-223封装的是中功率管，IC在1～3A范围，功率可达2W左右；D-PAK及D2PAK封装的三极管功率更大。一般片状三极管很少有大功率管。

    片状三极管中有4～6引脚的，其中4引脚的有一些是砷化镓超高频三极管、微波三极管或双栅场效应管，而5～6引脚的是组合三极管。

    4. 片状三极管的焊盘尺寸

    这部分可参看上期贴片式二极管表4中的有关内容。

    5. 片状三极管的管脚排列

    各种不同封装的管脚排列如图1所示。图中分别注出e、b、c或D、G、S三个极的位置。

    1. 片状带阻三极管

    在三极管芯片上做上一个或两个偏置电阻，如图2所示。这类三极管以日本生产为多（如日本电气、罗姆、松下、东芝公司）。各厂的型号各异，但参数及外形大体相同，易于互换。这类三极管在通信装置中应用最为普遍，可以节省空间。图2中的R1、R2有不同的值，具体可参看增刊中的资料。#p#分页标题#e#

    2. 片状组合三极管（复合三极管）

    这类片状三极管为近年开发的新型片状三极管。它是在一个封装中有两个三极管，不同的组合三极管中三极管的连接方式不一样，如图3～图6所示。这类片状三极管往往是专为某些产品生产的，但目前已推广应用。典型的封装有UM5、SO-25（5引脚）及UM6、SOT-36（6引脚）。

    这里要指出的是UM5与FMT封装的管脚排列是不同的（参看图1），UM6与IMD封装的管脚排列也是不同的，在使用时要特别注意！

    日本的150#、450#对讲机中就采用了一些片状组合三极管，如FMS-1、FMG2、FMA2及FM4A等。

    常用的片状组合三极管的详细资料因篇幅所限，将放到本刊今年的增刊中，敬请留意出版时间。

    与双极型相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、交叉调制失真小等特点。片状场效应管也分成结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。JFET主要用于小信号场合，MOSFET既有用于小信号场合，也有用作功率放大或驱动的场合。

    1. 片状JFET

    片状JFET一般采用SOT-23（TO-236AB）封装，其管脚排列见图7（有两种不同排列）。用于VHF/UHF射频放大器应用的有MMBFJ309LT1（N沟道，SOT-23封装，型号代码为6U）。通用的小信号放大JFET有MMBF54S7LT1（N沟道，SOT-23封装，型号代码为M6E）等。它们常用作阻抗变换或前置放大器等。

    2. 片状MOSFET

    片状MOSFET的最大特点是具有优良的开关特性，其导通电阻逐年降低（一般为零点几欧姆到几欧姆，小的仅为几毫欧到几十毫欧），所以自身管耗较小，小尺寸的片状器件却有较大的功率输出。目前应用较广的是功率MOSFET，它用作驱动器（驱动硬盘、打印机、复印机等）、DC/DC变换器、伺服/步进马达控制、功率负载开关、固态继电器、充电器等。

    这里介绍一组性能良好、小尺寸SO-8封装（厚度仅1.5mm）的功率MOSFET系列，它就是Siliconix公司的Si94XXDY及Si99XXDY系列。前者是单P沟道或N沟道增强型功率MOSFET，后者是两个功率MOSFET封装在一起的器件（有双P沟道、双N沟道及一个N沟道及一个P沟道的结构）。该系列采用特殊的铜结构引线框架，有优异的导热性能，无需散热片而其连续耗散功率可达2W，其结构如图8所示。

    该系列主要特点有：其栅极可用TTL逻辑电平驱动；最大电流可达10A；开关速度快，小于150ns；导通电阻RDS（ON）小（最小为30mΩ）；输入阻抗高，泄漏电流小。该系列的主要参数如表2所示。

    应用中有两个主要问题：其一是过去习惯使用通孔装配式三极管，如何找对应的片状三极管；其二是从参数电路上找到的三极管型号市场上却无法购得，如何代换。这也往往是设计、开发人员及维修人员在应用中较大的难题。

    造成另一个难题的原因是同一种管芯做成不同封装的器件时，其型号不同。例如，东芝公司生产的一种以TO-92封装的小功率三极管，其型号为2SC1815，然而用同一管芯采用SOT-23封装时，其型号变成2SC2712；而采用SO-70封装时，型号又变成2SC4732。根据这一现实，在选用或代换时，应根据三极管的基本参数要求，在晶体管手册上寻找出参数基本相同，并且封装符合要求的三极管。这里以常用的TO-92封装的9012、9013为例来说明。先找出9012、9013主要参数：9012为PNP管、VCEO为30V、IC为500mA、PD为625mW；9013是NPN管、VCEO为30V、IC为500mA、PD为625mW。在晶体管手册上可找出SOT-23封装的三极管，其参数差不多的型号如表3所示。在表3中，PD这一项明显小于9012或9013，这是片状SOT-23的散热面积小所致。如果实际使用时PD要求不大，则可通过实验，看是否满足电路要求。若通过各种试验（如高、低温试验）能满足要求方可大量使用。

    在代换时必须了解清楚原管子（或要求的管子）的性能（是通用三极管、是开关三极管等）、结构（如达林顿管、带阻三极管、组合三极管）或有特殊要求（如高反压、低噪声等）及一些主要参数。然后从手册（或公司数据手册）找同一性能、功能、结构及参数相似的进行试验或代换。另外，要注意的是工作频率（是MF段、HF段、VHF段或UHF段等），选用的fT要满足工作频率的要求。

    这里必须指出，目前的各种三极管品种成千上万，这里仅仅是举几个例子而已。重要的是要收集各大半导体器件厂的资料。它不仅有参数、封装，还有型号代码，这给选用、代换提供了极大的方便。